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Micron旨在将智能手机储存更多,3D NAND Flash

2021-07-17 10:44:06 [来源]:

Micron宣布其用于移动设备的第一件3D NAND芯片,其目标是将更多存储器填充到手机中,也许可以减少对SD卡插槽的依赖。

3D NAND提供比其他技术在同一尺寸芯片中的容量。Micron的3D芯片具有32GB的容量,可在中档和高端手机上定位。它基于新的UFS 2.1标准,尚未在智能手机中的快速存储协议。

Micron认为智能手机的内部存储容量需要成长,特别是具有虚拟现实和流媒体视频等新应用。低端智能手机具有4GB的存储,而iPhone 6S可达128GB。

Micron的移动业务部门副总裁Gino Skulick表示,Micron的目标是进入其3D NAND移动芯片的3D NAND移动芯片。

几年来,智能手机的内部存储容量可能与今天的电脑一样大,但Micron表示,可能高达2020年的1TB。但该公司没有提供储存容量的路线图,它将提供其3D移动闪存芯片。

3D NAND Chips已经在英特尔等公司的SSD中,他们提供的密度只是在增长。Micron已表示它可以在牙龈大小的SSD中达到3.5TB。

闪光芯片垂直包装存储单元,如摩天大楼中的楼层,允许芯片之间的容量更高,较快的通信。电流2D NAND芯片具有彼此相邻的存储单元。

Micron的顶级竞争对手是三星,它使手机中使用的3D闪存芯片如此,如Galaxy S7和注释7。这些手机最多可容纳64GB的容量,之后用户可以使用SD卡扩展存储容量。三星也一直在使用3D闪存来提高企业SSD的存储容量。3月份,它将SSD发布了一个笨拙的仓储。

Micron的32GB 3D Flash芯片将在明年下半年运送到设备制造商。筹码在加利福尼亚州圣克拉拉举行的闪存峰会上宣布。

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